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　　新浪科技訊 12月12日午間音信，近日，英特爾代工書記芯片內(nèi)互聯(lián)工夫贏得要緊打破，通過公司最新的減成法釕互連工夫（subtractive Ruthenium）最高可將線間電容裁減25%，有用改善了芯片內(nèi)互連。

　　據(jù)先容，減成法釕互連工夫通過襲取釕這一新式、關(guān)節(jié)、替代性的金屬化材料，訛詐薄膜電阻率（thin film resistivity）和空氣輾轉(zhuǎn)（airgap），齊備了在互連微縮方面的要緊朝上。該工藝無需通孔周圍繁榮的光刻空氣輾轉(zhuǎn)區(qū)域（lithographic airgap exclusion zone），也不錯(cuò)幸免使用遴選性蝕刻的自瞄準(zhǔn)通孔（self-aligned via）。在間距小于或就是 25 納米時(shí)，襲取減成法釕互連工夫齊備的空氣輾轉(zhuǎn)使線間電容最高裁減 25%，可算作一種金屬化有籌謀在良好間距層中替代銅嵌入工藝。

　　據(jù)悉，這一科罰有籌謀有望在英特爾代工的翌日制程節(jié)點(diǎn)中得以應(yīng)用。

　　此外，英特爾代工還透露了一種用于先進(jìn)封裝的異構(gòu)集成科罰有籌謀，或者將婉曲量提高高達(dá)100倍，齊備超快速的芯片間封裝（chip-to-chip assembly）。（文猛）

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